Компания Intel должна стать одним из главных бенефициаров инфраструктурного закона США на $1 трлн. Государственное финансирование должно помочь Intel построить два новых завода, чтобы также стать контрактным производителем для других компаний. Intel готовит новую технологию перехода от нанометров к ангстремам.
Конкурентная позиция Intel (INTC) выглядит ухудшающейся уже более двух лет, при этом, компания является единственным производителем микросхем в США, чье производство находится в стране, а не за ее пределами.
AMD (AMD) и NVIDIA (NVDA) последовательно отнимают часть доли рынка Intel из-за того, что их процессоры производят китайские заводы TSM (TSM) с более технологичным производством в 7нм.
Технологический процесс 10-нм Intel долгое время задерживался и сегодня новинки компании выходят с опозданием и им сложно конкурировать по соотношению цена-качество.
Однако ситуация может измениться с приходом к нового генерального директора Intel Пэта Гелсингера и изменения политики в США с приходом Джо Байдена.
Гелсингер объявил о планах строительства двух новых заводов по производству процессоров в Аризоне, которые могут окупиться довольно быстрыми темпами, поскольку Intel намерен стать контрактным производителем микросхем для других компаний.
Принятый в этом месяце инфраструктурный закон США на $1 трлн. направлен на создание тысяч новых рабочих мест в стране и поддержку полупроводниковой отрасли. Байден стремится к тому, чтобы США стали страной №1 в мире по производству процессоров и избавились от зависимости от поставок с азиатских стран.
Текущий глобальный дефицит микросхем показал, насколько технологическая отрасль страны зависит от поставок полупроводников.
Сегодня аналитики рынка и инвесторы видят преимущества и более сильные успехи AMD и даже Texas Instruments (TXN) перед Intel, поэтому краткосрочные прогнозы для компании звучат не очень оптимистично.
Однако инвесторы должны помнить: чипы Intel по-прежнему занимают 30%-ную долю рынка процессоров для дата-центров.
Кроме того, Intel находится в процессе разработки принципиально новой транзисторной архитектуры - перехода от нанометров к ангстремам. Новая технология получила название RibbonFET и является первой новой транзисторной технологией Intel с 2011 года. В прошлом месяце компания рассказала о своих инновациях в пресс-релизе.
Выход технологии ожидается к первой половине 2024 года, к этому моменту компания может успеть построить свои новые заводы.
В случае успеха, это даст Intel паритет и закрепление лидерства в отрасли.
Пока что, акции Intel выглядят привлекательными для долгосрочного инвестора, который может воспользоваться текущим снижением акций лидера отрасли.
Комментарии